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친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN
기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리
스, 청정 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge
GaN Devices)는 데이터센터와 인버터, 모터 드
라이브 및 기타 산업용 전원공급 장치와 같은 고
전력 애플리케이션에 GaN의 이점을 제공하기 위
해 새로운 다이 및 새로운 패키지로 설계된 전례
없는 최저 온저항(RDS(on)) 제품을 출시했다.
새로운 ICeGaN P2 시리즈 IC는 최저 25 mΩ
수준의 RDS(on)을 갖추고 있어 최고 효율로 수
kW의 전력 레벨을 지원할 수 있다.
온칩 밀러 클램프(Miller Clamp)를 통합하여
고속 스위칭 중에도 슛스루 손실을 제거하고, 0V
턴오프를 구현하여 역 전도 손실을 최소화한
ICeGaN IC는 디스크리트 e-Mode GaN 및 다
른 현존 기술을 능가하는 성능을 제공한다. 새로
운 패키지는 향상된 0.28 K/W의 낮은 열 저항
성능을 제공하며, 이는 현재 시장에 공급되는 다
른 어떠한 패키지보다 동등하거나 더 나은 수준
이다. 듀얼 사이드 DHDFN-9-1(Dual Heatspreader
DFN) 패키지의 듀얼 게이트 핀아웃은 간
단한 병렬화로 최적의 PCB 레이아웃과 확장성을 제
공함으로써 고객들이 수 kW의 애플리케이션을 쉽게
처리할 수 있도록 지원한다. 또한 새로운 패키지는 광
학 검 사 를 간 소 화 할 수 있 는 웨 터 블 플 랭 크
(Wettable Flank)를 갖추고 있어 생산성을 향상시
킬 수 있도록 설계되었다.
새로운 P2 시리즈 ICeGaN 전력 IC는 현재 샘플이
공급되고 있다. 이 제품군은 10 x 10 mm 풋프린트
의 DHD F N-9-1 및 BHD F N-9-1(B o t t om
Heat-spreader DFN) 패키지를 기반으로 정격 60
A 및 27 A, 25 mΩ 및 55 mΩ의 RDS(on) 레벨을
갖춘 4개의 디바이스로 구성되어 있다. P2 시리즈는
모든 CGD ICeGaN 제품과 마찬가지로, 모든 표준
MOSFET 또는 IGBT 드라이버를 이용해 구동할 수
있다.
새로운 P2 디바이스를 갖춘 두 종의 데모 보드도
제공된다. 프랑스 공공 R&I 연구소인 IFP 에너지 누
벨(IFP Energies nouvelles)과 공동으로 개발한 3
상 자동차 인버터 데모 보드 단일 레그와 3kW 토템
폴 역률 보정 데모보드가 있다.
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